Katalog der UB UniBw M (1/1)
Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen
Autor/Hrsg./Bearb.: Schulze, Jörg
Jahr: 2000
Umfang: V, 125 S. Ill., zahlr. graph. Darst.
Schlagwort: Silicium / Germanium / Kristallfläche / Bor / Schichtwachstum / MOS-FET
Signatur: 35/ELT830/YF9176