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Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen

Katalog der UB UniBw M (1/1)

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Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen


Autor/Hrsg./Bearb.: Schulze, Jörg

Jahr: 2000
Umfang: V, 125 S. Ill., zahlr. graph. Darst.
Schlagwort: Silicium / Germanium / Kristallfläche / Bor / Schichtwachstum / MOS-FET

Signatur: 35/ELT830/YF9176

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Autor/Hrsg./Bearb.: Schulze, Jörg   Fragezeichen
Titel: Bor-Oberflächenphasen in vertikalen Si- und SiGe-Schichtstrukturen
Von: von Jörg Schulze
Jahr: 2000
Umfang: V, 125 S.
Details: Ill., zahlr. graph. Darst.
Anmerkungen: München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2000
Notation: ELT830
Schlagwort: Silicium ; Germanium ; Kristallfläche ; Bor ; Schichtwachstum ; MOS-FET
Angaben zum Inhalt/Datenträger: Hochschulschrift
Sprache: Deutsch
Katkey: 594915